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YGW20N65T2-Lu-semi-IGBT
一、產品核心優勢：YGW20N65T2技術亮點
Lu-semi YGW20N65T2是一款650V/20A高壓功率器件IGBT，采用第三代溝槽柵場截止技術（Trench FS），具備超低開關損耗、高溫度穩定性和強抗沖擊能力，適用于數字充電器、工業變頻器、新能源逆變系統、儲能PCS等嚴苛場景。
核心性能：
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電壓/電流：650V / 20A（Tc=25℃）
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低導通壓降：Vce(sat)≤1.55V，降低系統能耗
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快速開關：Eoff≤0.45mJ，提升開關效率
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工作溫度：-40℃~+175℃，適應高溫環境
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封裝形式：TO-247，兼容主流安裝設計
二、典型應用場景與客戶案例
1. 工業電機驅動
YGW20N65T2的低損耗特性可顯著提升變頻器能效。某電機廠商采用該模塊后，驅動系統整體效率提升10%，溫升降低15℃，滿足CE認證要求。
2. 光伏儲能系統
在50kW組串式光伏逆變器中，YGW20N65T2的高開關頻率（支持≤40kHz）和低EMI噪聲幫助客戶通過CQC認證，轉換效率達98.2%。
3. 儲能變流器（PCS）
針對儲能系統頻繁充放電需求，該模塊的抗電流沖擊能力和長壽命設計有效延長設備使用壽命，某項目實測MTBF超8萬小時。
三、技術參數與競品對比（附PDF下載）
關鍵參數表：
| 參數 | 數值 |
|---|---|
| 集電極-發射極電壓 | 650V |
| 連續集電極電流 | 20A (@Tc=25℃) |
| 峰值電流 | 40A |
| 開關損耗（Eon+Eoff） | ≤0.8mJ |
| 封裝形式 | TO-247 |
競品對比優勢：
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對比英飛凌IGW20N65H5，YGW20N65T2在動態損耗和性價比上更具競爭力。
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點擊下載：YGW20N65T2規格書.pdf | IGBT選型對比表.pdf
四、客戶反饋與技術支持
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某新能源企業評價：
“陸芯YGW20N65T2替換進口方案后，逆變器成本降低35%，且性能穩定，技術支持團隊專業高效。” -
服務承諾：
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免費提供應用電路設計指南及仿真模型（LTspice/PLECS）
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24小時樣品極速送達（限企業用戶）
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批量訂單1天交付保障
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五、常見問題解答（FAQ）
Q1：YGW20N65T2是否適合高頻LLC諧振拓撲？
答：該模塊支持最高40kHz開關頻率，適用于LLC諧振電路，若需更高頻需求，建議選用士蘭微SiC MOSFET系列。
Q2：如何避免模塊過溫失效？
答：推薦使用強制風冷+導熱墊片，確保殼溫≤110℃。官網提供《IGBT熱管理設計手冊》下載。
六、立即獲取樣品與報價
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