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士蘭微SGT75T65SDM1P7 IGBT管 | 高效能、高可靠性功率器件首選
產品概述
士蘭微電子（Silan Microelectronics）推出的 SGT75T65SDM1P7 IGBT管 是一款專為高功率應用設計的先進絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）。采用第七代 Field Stop Trench 技術，兼具低導通損耗、高開關速度與卓越的耐壓能力（650V/75A），廣泛應用于新能源、工業變頻、電動汽車驅動及UPS電源等領域，助力客戶實現高效節能的系統設計。
核心優勢與技術亮點
1. 高性能與低損耗
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650V/75A 高耐壓與大電流承載能力，適配中高功率場景。
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超低 VCE(sat) 導通壓降（1.7V @25℃），顯著減少導通損耗。
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快速開關特性（trr<100ns），提升系統效率與響應速度。
2. 強魯棒性與可靠性
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150℃ 高結溫耐受，適應嚴苛工作環境。
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優異的 短路耐受能力（SCWT） 與 抗閂鎖設計，保障設備長期穩定運行。
3. 封裝與散熱優化
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TO-247 封裝，增強散熱性能，降低熱阻（Rth(j-c)≤0.45℃/W）。
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兼容自動化貼裝工藝，降低生產成本。
典型應用領域
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新能源發電：光伏逆變器、風電變流器
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工業控制：變頻器、伺服驅動器、電焊機
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電動汽車：電機驅動、車載充電機（OBC）
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電力系統：UPS不間斷電源、儲能設備
為什么選擇士蘭微SGT75T65SDM1P7？
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本土化技術支持：士蘭微深耕中國半導體市場，提供快速響應的售前咨詢與售后保障。
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成本優勢：國產替代進口方案，性價比突出，縮短供貨周期。
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認證齊全：符合 RoHS 及 REACH 標準，滿足全球市場準入需求。
客戶常見問題（FAQ）
Q1：SGT75T65SDM1P7是否適配電動汽車驅動系統？
答：是的，其高耐壓、低損耗特性可顯著提升電機驅動效率，已通過多家車企驗證。
Q2：如何獲取樣品與技術資料？
答：掃描右下角二維碼【獲取報價】或致電15950933050，我們將免費提供樣品與完整規格書。
士蘭微授權代理商
士蘭微SGT75T65SDM1P7 IGBT管憑借 高效能、高可靠性 特性，已成為工業變頻、新能源及電動汽車領域的 優選功率器件。相較于傳統MOSFET與普通IGBT，其 第七代溝槽柵技術 進一步優化了開關損耗與熱管理效率，助力客戶實現節能降本目標。作為國產半導體龍頭企業，士蘭微持續為全球客戶提供 高品質、高性價比 的功率解決方案。
