2A、600V N溝道增強型場效應管
描述
SVD2N60 N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。
特點
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
∗ 低柵極電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
昆山東森微電子有限公司專業致力于LED燈及其他電源類電子元件如:驅動芯片\光耦\MOS管\可控硅\橋堆\二極管\三極管,歡迎新老客戶致電洽談!
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