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SVSP65R110P7HD4 |
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SVSP65R110P7HD4是SILAN士蘭微的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVSP65R110P7HD4,還可提供SVSP65R110P7HD4應用資料、免費樣品及產品研發技術支持!詳情可致電垂詢. | 元件型號:SVSP65R110P7HD4 | 元件品牌:SILAN士蘭微 | 封裝:TO247 | 參數:35A 650V超潔MOS功率管 |
全新原裝正品保障,質量是企業的生命! |
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SVSP65R110P7HD4:35A,650V超結MOS功率管 描述 SVSP65R110P7HD4 N溝道增強型高壓功率場效應管采用莽微電子超結金屬氧化物半導體技術制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗,使得功率轉換器具有高效,高功率密度,提高熱行為。可替代IPP65R110CFDA.IPA60R125P6.IXFH34N65X2。 此外,SVSP65R110P7HD4應用廣泛。如,適用于硬/軟開關拓撲 特點 35A,650V,右(開)(典型值)=90MQ@VG=10V 創新高壓技術 低柵極電荷 較強的雪崩能力 較強的dv/dt 能力 較高的峰值電流能力 100%雪崩測試 無鉛管腳鍍層 符合RoHS環保標準 |
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