YGW75N65FP是一款75A 650V的溝槽工藝IGBT,主要應用于光伏和儲能及逆變器產業。 | BV (V) | 650 | | Ic(A) @100℃ | 75 | | Vcesat (V) | 1.8 | | Eoff (mJ) | 1.8 | | Vf (V) | 2.0 | | Package | TO247 |
特性 1.優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，達到工業級和汽車級可靠性標準；
2.控制少子壽命，優化飽和壓降和開關速度，實現安全工作區（SOA）和短路電流安全工作區SCSOA性能最優；
3.改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；
4.調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現60um~180um晶圓厚度的大規模量產。 | 
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